FDMS3602S

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Parte di u fabricatore

FDMS3602S

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
15137
Datasheets in linea
FDMS3602S PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):25V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:15A, 26A
  • rds on (max) @ id, vgs:5.6mOhm @ 15A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:27nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1680pF @ 13V
  • putenza - max:1W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-PowerTDFN
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Power56
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