NVMFD6H846NLT1G

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Parte di u fabricatore

NVMFD6H846NLT1G

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Standard
  • drain à a tensione di fonte (vdss):80V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:9.4A (Ta), 31A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:15mOhm @ 5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2V @ 21µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:17nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:900pF @ 40V
  • putenza - max:3.2W (Ta), 34W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-PowerTDFN
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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