Name: IPG20N04S4L07AATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPG20N04S4L07AATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IPG20N04S4L07AATMA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET 2N-CH 8TDSON

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - arrays

Serie: -

In magazinu: 4558

Datasheets in linea: IPG20N04S4L07AATMA1 PDF

IPG20N04S4L07AATMA1 Avvisu

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serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:2 N-Channel (Dual)
funzione fet:Logic Level Gate
drain à a tensione di fonte (vdss):40V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:20A
rds on (max) @ id, vgs:7.2mOhm @ 17A, 10V

vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 30µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:50nC @ 10V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:3980pF @ 25V
putenza - max:65W
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount, Wettable Flank
pacchettu / casu:8-PowerVDFN
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TDSON-8-10

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