FS45MR12W1M1B11BOMA1

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Parte di u fabricatore

FS45MR12W1M1B11BOMA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET MODULE 1200V 50A
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
58
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:CoolSiC™+
  • pacchettu:Tray
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • funzione fet:Silicon Carbide (SiC)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1200V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:25A (Tj)
  • rds on (max) @ id, vgs:45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
  • vgs (th) (max) @ id:5.55V @ 10mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:62nC @ 15V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1840pF @ 800V
  • putenza - max:20mW (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:Module
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:AG-EASY1BM-2
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