FQS4900TF

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Parte di u fabricatore

FQS4900TF

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
FQS4900TF PDF
Inchiesta
  • serie:QFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N and P-Channel
  • funzione fet:Standard
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60V, 300V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:1.3A, 300mA
  • rds on (max) @ id, vgs:550mOhm @ 650mA, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:1.95V @ 20mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:2.1nC @ 5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:-
  • putenza - max:2W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SOIC
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