AUIRF7379QTR

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Parte di u fabricatore

AUIRF7379QTR

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
AUIRF7379QTR PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N and P-Channel
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:5.8A, 4.3A
  • rds on (max) @ id, vgs:45mOhm @ 5.8A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:25nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:520pF @ 25V
  • putenza - max:2.5W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SO
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