QS8M12TCR

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Parte di u fabricatore

QS8M12TCR

U fabricatore
ROHM Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
QS8M12TCR PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Not For New Designs
  • tipu fet:N and P-Channel
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4A
  • rds on (max) @ id, vgs:42mOhm @ 4A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:3.4nC @ 5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:250pF @ 10V
  • putenza - max:1.5W
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SMD, Flat Lead
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TSMT8
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