BSZ215CHXTMA1

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Parte di u fabricatore

BSZ215CHXTMA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
BSZ215CHXTMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N and P-Channel Complementary
  • funzione fet:Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:5.1A, 3.2A
  • rds on (max) @ id, vgs:55mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.4V @ 110µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:2.8nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:419pF @ 10V
  • putenza - max:2.5W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-PowerTDFN
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TSDSON-8
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