APTM120H29FG

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Parte di u fabricatore

APTM120H29FG

U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
APTM120H29FG PDF
Inchiesta
  • serie:POWER MOS 7®
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:4 N-Channel (H-Bridge)
  • funzione fet:Standard
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1200V (1.2kV)
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:34A
  • rds on (max) @ id, vgs:348mOhm @ 17A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:5V @ 5mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:374nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:10300pF @ 25V
  • putenza - max:780W
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:SP6
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SP6
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