SIA519EDJ-T1-GE3

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Parte di u fabricatore

SIA519EDJ-T1-GE3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
1000050
Datasheets in linea
SIA519EDJ-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N and P-Channel
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4.5A
  • rds on (max) @ id, vgs:40mOhm @ 4.2A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:12nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:350pF @ 10V
  • putenza - max:7.8W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® SC-70-6 Dual
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