TSM6502CR RLG

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Parte di u fabricatore

TSM6502CR RLG

U fabricatore
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizzione
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
1758
Datasheets in linea
TSM6502CR RLG PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N and P-Channel
  • funzione fet:Standard
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:24A (Tc), 18A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
  • putenza - max:40W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-PowerTDFN
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-PDFN (5x6)
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