BSZ0910NDXTMA1

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Parte di u fabricatore

BSZ0910NDXTMA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
DIFFERENTIATED MOSFETS
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
3420
Datasheets in linea
BSZ0910NDXTMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:9.5A (Ta), 25A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:9.5mOhm @ 9A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:5.6nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:800pF @ 15V
  • putenza - max:1.9W (Ta), 31W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-PowerVDFN
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-WISON-8
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