CSD86356Q5D

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Parte di u fabricatore

CSD86356Q5D

U fabricatore
Texas
Descrizzione
25V POWERBLOCK N CH MOSFET
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:NexFET™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Half Bridge)
  • funzione fet:Logic Level Gate, 5V Drive
  • drain à a tensione di fonte (vdss):25V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:40A (Ta)
  • rds on (max) @ id, vgs:4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
  • putenza - max:12W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-PowerTDFN
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-VSON-CLIP (5x6)
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