FDS6930B

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Parte di u fabricatore

FDS6930B

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
4790
Datasheets in linea
FDS6930B PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:5.5A
  • rds on (max) @ id, vgs:38mOhm @ 5.5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:3.8nC @ 5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:412pF @ 15V
  • putenza - max:900mW
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SOIC
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