FP75R07N2E4B11BOSA1

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Parte di u fabricatore

FP75R07N2E4B11BOSA1

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
IGBT, 650V, N-CHANNEL
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - igbts - moduli
Serie
-
In magazinu
20
Datasheets in linea
FP75R07N2E4B11BOSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu igbt:Trench Field Stop
  • cunfigurazione:Three Phase Inverter
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):650 V
  • current - collector (ic) (max):75 A
  • putenza - max:-
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.95V @ 15V, 75A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):1 mA
  • capacità di input (cies) @ vce:4.6 nF @ 25 V
  • input:Standard
  • termistore ntc:Yes
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:Module
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Module
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