Name: F4100R12KS4BOSA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: F4100R12KS4BOSA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: F4100R12KS4BOSA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: IGBT MOD 1200V 130A 660W

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - igbts - moduli

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: F4100R12KS4BOSA1 PDF

F4100R12KS4BOSA1 Avvisu

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serie:-
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu igbt:-
cunfigurazione:Three Phase Inverter
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
current - collector (ic) (max):130 A
putenza - max:660 W
vce(on) (max) @ vge, ic:3.75V @ 15V, 100A

corrente - cutoff di u cullettore (max):5 mA
capacità di input (cies) @ vce:6.8 nF @ 25 V
input:Standard
termistore ntc:Yes
temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 125°C
tipu di muntatura:Chassis Mount
pacchettu / casu:Module
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Module

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