FS3L50R07W2H3FB11BPSA1

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Parte di u fabricatore

FS3L50R07W2H3FB11BPSA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
IGBT MOD 650V 50A 20MW
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - igbts - moduli
Serie
-
In magazinu
12
Datasheets in linea
FS3L50R07W2H3FB11BPSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:EasyPACK™ 2B
  • pacchettu:Tray
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:Trench Field Stop
  • cunfigurazione:Three Phase Inverter
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):650 V
  • current - collector (ic) (max):50 A
  • putenza - max:20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.8V @ 15V, 50A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):1 mA
  • capacità di input (cies) @ vce:3.1 nF @ 25 V
  • input:Standard
  • termistore ntc:Yes
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:Module
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Module
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