GSID200A170S3B1

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Parte di u fabricatore

GSID200A170S3B1

U fabricatore
SemiQ
Descrizzione
IGBT MODULE 1200V 400A 1630W D3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - igbts - moduli
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
GSID200A170S3B1 PDF
Inchiesta
  • serie:Amp+™
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • cunfigurazione:2 Independent
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):400 A
  • putenza - max:1630 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.9V @ 15V, 200A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):1 mA
  • capacità di input (cies) @ vce:26 nF @ 25 V
  • input:Standard
  • termistore ntc:No
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:D-3 Module
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D3
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