NXH100B120H3Q0STG

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Parte di u fabricatore

NXH100B120H3Q0STG

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - igbts - moduli
Serie
-
In magazinu
24
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tray
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:Trench Field Stop
  • cunfigurazione:2 Independent
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):50 A
  • putenza - max:186 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 50A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):200 µA
  • capacità di input (cies) @ vce:9.075 nF @ 20 V
  • input:Standard
  • termistore ntc:No
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:Module
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
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