PHU108NQ03LT,127

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Parte di u fabricatore

PHU108NQ03LT,127

U fabricatore
NXP Semiconductors
Descrizzione
MOSFET N-CH 25V 75A IPAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
PHU108NQ03LT,127 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchMOS™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):25 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:75A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:6mOhm @ 25A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:16.3 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1375 pF @ 12 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):187W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:I-PAK
  • pacchettu / casu:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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