JANTXV2N6766

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Parte di u fabricatore

JANTXV2N6766

U fabricatore
Microsemi
Descrizzione
MOSFET N-CH 200V 30A TO3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
JANTXV2N6766 PDF
Inchiesta
  • serie:Military, MIL-PRF-19500/543
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:30A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:90mOhm @ 30A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:115 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:-
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):4W (Ta), 150W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-3
  • pacchettu / casu:TO-204AE
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