GA04JT17-247

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Parte di u fabricatore

GA04JT17-247

U fabricatore
GeneSiC Semiconductor
Descrizzione
TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
GA04JT17-247 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:-
  • tecnulugia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1700 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4A (Tc) (95°C)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:480mOhm @ 4A
  • vgs (th) (max) @ id:-
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):-
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:-
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):106W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247AB
  • pacchettu / casu:TO-247-3
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