PHB38N02LT,118

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Parte di u fabricatore

PHB38N02LT,118

U fabricatore
NXP Semiconductors
Descrizzione
MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
PHB38N02LT,118 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:44.7A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):2.5V, 5V
  • rds on (max) @ id, vgs:16mOhm @ 25A, 5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:15.1 nC @ 5 V
  • vgs (max):12V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:800 pF @ 20 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):57.6W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D2PAK
  • pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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