Name: IRFBG30
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: IRFBG30
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IRFBG30

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 10000

Datasheets in linea: IRFBG30 PDF

IRFBG30 Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tube
statutu di parte:Obsolete
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):1000 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:3.1A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:5Ohm @ 1.9A, 10V
vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:980 pF @ 25 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):125W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220AB
pacchettu / casu:TO-220-3

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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