Name: IRF7701GTRPBF
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IRF7701GTRPBF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IRF7701GTRPBF

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 2000

Datasheets in linea: IRF7701GTRPBF PDF

IRF7701GTRPBF Avvisu

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serie:HEXFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Obsolete
tipu fet:P-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):12 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:10A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:11mOhm @ 10A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:1.2V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:100 nC @ 4.5 V
vgs (max):±8V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:5050 pF @ 10 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):1.5W (Ta)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-TSSOP
pacchettu / casu:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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SIR496DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8	In magazinu: 9000 In ordine: 9000	$0.00000