IRF6201TRPBF

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Parte di u fabricatore

IRF6201TRPBF

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 20V 27A 8SO
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
175887
Datasheets in linea
IRF6201TRPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:27A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:2.45mOhm @ 27A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.1V @ 100µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:195 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±12V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:8555 pF @ 16 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2.5W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SO
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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