FQB34P10TM-F085

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Parte di u fabricatore

FQB34P10TM-F085

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
FQB34P10TM-F085 PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, QFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:33.5A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:60mOhm @ 16.75A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:110 nC @ 10 V
  • vgs (max):±25V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:2910 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):3.75W (Ta), 155W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D²PAK (TO-263AB)
  • pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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