Name: GT10J312(Q)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: GT10J312(Q)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: GT10J312(Q)

U fabricatore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizzione: IGBT 600V 10A 60W TO220SM

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - igbts - unicu

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: GT10J312(Q) PDF

GT10J312(Q) Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tube
statutu di parte:Obsolete
tipu igbt:-
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):600 V
current - collector (ic) (max):10 A
current - collector pulsed (icm):20 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 10A
putenza - max:60 W
scambià energia:-

tipu di input:Standard
carica di porta:-
td (on/off) @ 25°c:400ns/400ns
cundizione di prova:300V, 10A, 100Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):200 ns
temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220SM

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