GT10G131(TE12L,Q)

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Parte di u fabricatore

GT10G131(TE12L,Q)

U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
IGBT 400V 1W 8-SOIC
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
GT10G131(TE12L,Q) PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu igbt:-
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):400 V
  • current - collector (ic) (max):-
  • current - collector pulsed (icm):200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 4V, 200A
  • putenza - max:1 W
  • scambià energia:-
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:-
  • td (on/off) @ 25°c:3.1µs/2µs
  • cundizione di prova:-
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SOP (5.5x6.0)
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