SI1025X-T1-E3

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Parte di u fabricatore

SI1025X-T1-E3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
18409
Datasheets in linea
SI1025X-T1-E3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:2 P-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:190mA
  • rds on (max) @ id, vgs:4Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:1.7nC @ 15V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:23pF @ 25V
  • putenza - max:250mW
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SOT-563, SOT-666
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SC-89-6
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