DMN3018SFGQ-7

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Parte di u fabricatore

DMN3018SFGQ-7

U fabricatore
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Descrizzione
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
DMN3018SFGQ-7 PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:8.5A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:21mOhm @ 10A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.1V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:13.2 nC @ 10 V
  • vgs (max):±25V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:697 pF @ 15 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerDI3333-8
  • pacchettu / casu:8-PowerVDFN
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