IPP100N10S305AKSA1

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Parte di u fabricatore

IPP100N10S305AKSA1

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3-1
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
1299
Datasheets in linea
IPP100N10S305AKSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:100A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:5.1mOhm @ 100A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 240µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:176 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:11570 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):300W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO220-3-1
  • pacchettu / casu:TO-220-3
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