RF1S23N06LESM9A

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Parte di u fabricatore

RF1S23N06LESM9A

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
N-CHANNEL POWER MOSFET
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
800
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:*
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:-
  • tecnulugia:-
  • drain à a tensione di fonte (vdss):-
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:-
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:-
  • vgs (th) (max) @ id:-
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):-
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:-
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):-
  • temperatura di funziunamentu:-
  • tipu di muntatura:-
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:-
  • pacchettu / casu:-
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