TPH3208PD

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Parte di u fabricatore

TPH3208PD

U fabricatore
Transphorm
Descrizzione
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
76
Datasheets in linea
TPH3208PD PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:GaNFET (Gallium Nitride)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:20A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:130mOhm @ 13A, 8V
  • vgs (th) (max) @ id:2.6V @ 300µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 8 V
  • vgs (max):±18V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 400 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):96W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220AB
  • pacchettu / casu:TO-220-3
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