NVTFS5824NLTAG

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Parte di u fabricatore

NVTFS5824NLTAG

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
1500
Datasheets in linea
NVTFS5824NLTAG PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:37A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:20.5mOhm @ 10A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:16 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:850 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):3.2W (Ta), 57W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-WDFN (3.3x3.3)
  • pacchettu / casu:8-PowerWDFN
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