SCT3030ALGC11

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Parte di u fabricatore

SCT3030ALGC11

U fabricatore
ROHM Semiconductor
Descrizzione
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
7180
Datasheets in linea
SCT3030ALGC11 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:SiCFET (Silicon Carbide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:70A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):18V
  • rds on (max) @ id, vgs:39mOhm @ 27A, 18V
  • vgs (th) (max) @ id:5.6V @ 13.3mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:104 nC @ 18 V
  • vgs (max):+22V, -4V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1526 pF @ 500 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):262W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247N
  • pacchettu / casu:TO-247-3
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