Name: IRFB23N20DPBF
Brand: Rochester Electronics
SKU: IRFB23N20DPBF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: IRFB23N20DPBF

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: SMPS HEXFET POWER MOSFET

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 140000

Datasheets in linea: IRFB23N20DPBF PDF

IRFB23N20DPBF Avvisu

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serie:HEXFET®
pacchettu:Tube
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):200 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:24A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:100mOhm @ 14A, 10V
vgs (th) (max) @ id:5.5V @ 250µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:86 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1.96 pF @ 25 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):3.8W (Ta), 170W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220AB
pacchettu / casu:TO-220-3

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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BTS282ZE3180A Rochester Electronics	N-CHANNEL POWER MOSFET	In magazinu: 207000 In ordine: 207000	$2.32000