Name: FDP2D9N12C
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FDP2D9N12C
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: FDP2D9N12C

U fabricatore: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Descrizzione: PTNG 120V N-FET TO220

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 3200

Datasheets in linea: -

FDP2D9N12C Avvisu

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serie:PowerTrench®
pacchettu:Tube
statutu di parte:Active
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):120 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:18A (Ta), 210A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:2.9mOhm @ 100A, 10V
vgs (th) (max) @ id:4V @ 686µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:109 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:8894 pF @ 60 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):2.4W (Ta), 333W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220-3
pacchettu / casu:TO-220-3

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