APT17F80B

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Parte di u fabricatore

APT17F80B

U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
MOSFET N-CH 800V 18A TO247
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
44084
Datasheets in linea
APT17F80B PDF
Inchiesta
  • serie:POWER MOS 8™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):800 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:18A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:580mOhm @ 9A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:5V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:122 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:3757 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):500W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247 [B]
  • pacchettu / casu:TO-247-3
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