STGW50H65DFB2-4

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Parte di u fabricatore

STGW50H65DFB2-4

U fabricatore
STMicroelectronics
Descrizzione
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
75
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:HB2
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:Trench Field Stop
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):650 V
  • current - collector (ic) (max):86 A
  • current - collector pulsed (icm):150 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 50A
  • putenza - max:272 W
  • scambià energia:629µJ (on), 478µJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:151 nC
  • td (on/off) @ 25°c:18ns/128ns
  • cundizione di prova:400V, 50A, 12Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):92 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-4
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247-4
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