ALD212900ASAL

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Parte di u fabricatore

ALD212900ASAL

U fabricatore
Advanced Linear Devices, Inc.
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
ALD212900ASAL PDF
Inchiesta
  • serie:EPAD®, Zero Threshold™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):10.6V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:80mA
  • rds on (max) @ id, vgs:14Ohm
  • vgs (th) (max) @ id:10mV @ 20µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:30pF @ 5V
  • putenza - max:500mW
  • temperatura di funziunamentu:0°C ~ 70°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SOIC
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