PMDPB58UPE,115

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Parte di u fabricatore

PMDPB58UPE,115

U fabricatore
Nexperia
Descrizzione
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
PMDPB58UPE,115 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 P-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:3.6A
  • rds on (max) @ id, vgs:67mOhm @ 2A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:950mV @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:9.5nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:804pF @ 10V
  • putenza - max:515mW
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:6-UDFN Exposed Pad
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:6-HUSON-EP (2x2)
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