IRF7665S2TR1PBF

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Parte di u fabricatore

IRF7665S2TR1PBF

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
17144
Datasheets in linea
IRF7665S2TR1PBF PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:62mOhm @ 8.9A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:5V @ 25µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:515 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2.4W (Ta), 30W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DIRECTFET SB
  • pacchettu / casu:DirectFET™ Isometric SB
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