SI5504DC-T1-GE3

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Parte di u fabricatore

SI5504DC-T1-GE3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
SI5504DC-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N and P-Channel
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:2.9A, 2.1A
  • rds on (max) @ id, vgs:85mOhm @ 2.9A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA (Min)
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:7.5nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:-
  • putenza - max:1.1W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SMD, Flat Lead
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:1206-8 ChipFET™
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