IXTA1N100

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Parte di u fabricatore

IXTA1N100

U fabricatore
Wickmann / Littelfuse
Descrizzione
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
1150
Datasheets in linea
IXTA1N100 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1000 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:1.5A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:11Ohm @ 1A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 25µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:14.5 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:400 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):54W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-263 (IXTA)
  • pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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