RJP60F5DPK-01#T0

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Parte di u fabricatore

RJP60F5DPK-01#T0

U fabricatore
Renesas Electronics America
Descrizzione
IGBT 600V 80A 260.4W
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
25271
Datasheets in linea
RJP60F5DPK-01#T0 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):600 V
  • current - collector (ic) (max):80 A
  • current - collector pulsed (icm):160 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.8V @ 15V, 40A
  • putenza - max:260.4 W
  • scambià energia:-
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:74 nC
  • td (on/off) @ 25°c:53ns/90ns
  • cundizione di prova:400V, 30A, 5Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-3P-3, SC-65-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-3P
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