Name: SI5517DU-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SI5517DU-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SI5517DU-T1-GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - arrays

Serie: -

In magazinu: 123

Datasheets in linea: SI5517DU-T1-GE3 PDF

SI5517DU-T1-GE3 Avvisu

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serie:TrenchFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:N and P-Channel
funzione fet:Logic Level Gate
drain à a tensione di fonte (vdss):20V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:6A
rds on (max) @ id, vgs:39mOhm @ 4.4A, 4.5V

vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:16nC @ 8V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:520pF @ 10V
putenza - max:8.3W
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:PowerPAK® ChipFET™ Dual
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® ChipFet Dual

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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ALD110908ASAL Advanced Linear Devices, Inc.	MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC	In magazinu: 28	$5.13000
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